光智科技新专利:创新划片工艺降低InSb芯片崩边风险

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光智科技新专利:创新划片工艺降低InSb芯片崩边风险

发布时间: 2024-12-19 来源:贝博平台网页登录

  2024年10月29日,依照国家知识产权局的信息,安徽光智科技有限公司申请了一项创新的专利,名为“一种晶圆的划片工艺和InSb芯片”,该专利公开号为CN118824946A,申请日期为2024年6月。此项技术进步将对芯片加工领域产生深远影响,尤其是在提高成片合格率及降低生产风险方面。

  光智科技的划片工艺解决了芯片生产中的一个核心问题:崩边现象。随着科学技术日新月异,芯片的微型化和高性能需求日渐增长,如何有效地划片以减少损耗,成为了厂商亟待解决的难题。根据专利摘要,这种新的划片工艺采用了多步距划片方式。通过在特定划片方向和步距的设定,这一工艺能够逐步释放晶圆内部应力,从而有效预防崩边的产生。

  在具体实施上,光智科技的划片工艺结合了划片前设置的特定材质保护层,逐步降低了晶圆划片时的崩边与裂片风险。实验表明,通过该工艺处理的InSb晶圆在显微镜下观察,未发现崩边和裂片现象,而单独用任何一种方法则明显体现出缺陷。这标志着光智科技在提高芯片加工合格率方面迈出了重要一步。

  InSb(铟锑)芯片作为一种重要的半导体材料,其大范围的应用于红外探测和广谱成像等领域。然而,生产的全部过程中,碎片和瑕疵不仅会增加生产所带来的成本,还可能会引起产品性能不达标,因此,确保划片工艺的有效性至关重要。

  光智科技的成功申请不仅展示了其研发实力,也反映出国内对于芯片加工技术持续深化的需求和势头。在全球半导体行业面临技术瓶颈和市场之间的竞争加剧的背景下,优化生产工序,提高成品率,是提升企业核心竞争力的关键所在。

  从行业总的来看,随着5G、人工智能、物联网等前沿科技的发展,芯片的需求量和技术方面的要求持续增长。在这股趋势下,怎么来控制生产的全部过程中的每一个环节显得很重要。光智科技的这一专利为芯片生产提供了新的解决方案,填补了有关技术空白,有望引领行业的下一次技术革命。

  未来,业内专家这样认为,随着芯片制造技术日益精细化,相关的划片工艺也将不断迭代升级。像光智科技这样致力于研发并实施创新技术的公司,有望在日益激烈的市场中获得长足发展。同时,这也向别的企业传达了一种理念:在技术革命的浪潮中,唯有坚持创新,才能赢得市场先机。

  综上所述,光智科技的新划片工艺为InSb芯片生产带来了重大进展,不仅提高了生产合格率,更降低了风险。这一创新的成功实施将引领国内芯片加工技术走向新的高度,未来或将影响整个行业的发展轨迹。返回搜狐,查看更加多